消息称三星电子 1c DRAM 良率超 80% HBM4 良率接近 60%
业内人士透露，三星电子内部已实现 1c DRAM 80%的良率，这是在高温环境下（热测试）取得的最高良率，2025 年第四季度其良率约为 60-70%，如今已显著提升，并有望在 5 月份左右达到 90%。业内人士进一步表示，三星基于 1c DRAM 的 HBM4 的良率也有所提高，已接近 60%，去年第四季度约为 50%。