三星电子拟增大 DRAM 尺寸以提升 HBM4 性能
三星电子正集中精力提高 1c DRAM 的良率，同时抢占 HBM4 市场份额。具体而言，三星电子决定增大其第六代 10nm 级 DRAM 芯片的尺寸，从而同时提升 DRAM 和 HBM4 的稳定性。 (ZDNet)