据集邦咨询援引 ZDNet 周二报道，业内消息人士透露，SK 海力士正推进一项封装架构改良方案，核心措施包括增加 DRAM 芯片厚度以及缩小 DRAM 层间距，目前该技术正处于验证阶段。若成功实现商业化，这一方案有望帮助 SK 海力士达成英伟达对第六代 HBM4 设定的顶级性能指标，并为后续产品的性能提升奠定基础。