据报 SK 海力士正在考虑采用台积电的 3nm 工艺制造 HBM4E 逻辑芯片
金十数据 3 月 26 日讯，SK 海力士正在积极评估是否在其第七代高带宽存储（HBM4E）的逻辑芯片上采用台积电的 3nm 制程，希望借此缩小与三星电子的性能差距。然而，业内分析师警告称，量产时程与成本问题可能对 SK 海力士的 3nm 计划带来不小风险。