云南锗业：控股子公司实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”，计划总投资 1.89 亿元
云南锗业公告，2026 年 4 月 3 日，公司第九届董事会第二次会议审议通过《关于实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”的议案》，同意控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”。项目计划总投资 1.89 亿元，由云南鑫耀在现有产能基础上扩建产能，最终达到年产 45 万片（折合 4 英寸）高品质磷化铟单晶片的产能。