英飞凌:部分功率器件本土化量产将提前至 2026 年
金十数据 4 月 15 日讯,英飞凌科技高级副总裁、汽车业务大中华区负责人曹彦飞在出席 2026 智能电动汽车发展高层论坛时介绍,去年英飞凌在 MCU 领域市场份额上升至 36%,推进 RISC-V 架构车规级 MCU 开发,2027 年公司将通过与本土晶圆厂与封测厂合作,实现 40 纳米技术的 AURIXTM TC3x 系列产品前后道本土化生产,28 纳米技术的车用雷达传感器前后道本土化生产;功率器件领域,40V MOSFET 本土化量产提前至 2026 年,40V MOSFET SSO8 的本土化量产时间从原计划的 2027 年提前至 2026 年。目前英飞凌已与超过 10 家头部整车厂及 Tier-1 客户联合建立创新应用中心,加快定制化系统级解决方案落地。
金十数据 4 月 15 日讯,英飞凌科技高级副总裁、汽车业务大中华区负责人曹彦飞在出席 2026 智能电动汽车发展高层论坛时介绍,去年英飞凌在 MCU 领域市场份额上升至 36%,推进 RISC-V 架构车规级 MCU 开发,2027 年公司将通过与本土晶圆厂与封测厂合作,实现 40 纳米技术的 AURIXTM TC3x 系列产品前后道本土化生产,28 纳米技术的车用雷达传感器前后道本土化生产;功率器件领域,40V MOSFET 本土化量产提前至 2026 年,40V MOSFET SSO8 的本土化量产时间从原计划的 2027 年提前至 2026 年。目前英飞凌已与超过 10 家头部整车厂及 Tier-1 客户联合建立创新应用中心,加快定制化系统级解决方案落地。