SK 海力士：HBM 混合键合工艺良率已得到提升
SK 海力士宣布，其高带宽存储器（HBM）混合键合工艺的良率已得到提升。公司技术负责人金钟勋（Kim Jong-hoon）表示，采用混合键合技术的 12 层 HBM 堆叠结构的验证工作已经完成，目前正在提高良率，以便将其应用于量产。