消息称三星 HBM3E 和 HBM4 DRAM 良率提高
据媒体援引内部消息人士透露，三星电子 DS 部门最近将应用于 HBM3E 核心芯片的 10 纳米级第五代（1b）DRAM 的良率提高到 92%（基于冷态测试），并将安装在 HBM4 上的第六代（1c）DRAM 的良率提高到 75%以上。