铠侠计划 2027 年量产第十代 BiCS 3D NAND 闪存
金十数据 5 月 25 日讯，据报道，业内消息人士指出铠侠计划在 2027 年量产第十代 BiCS FLASH 产品，相关投资细节待到 2026H2 会更为明朗。这一时点晚于此前曝光的 2026 年量产计划。从技术规格来看，BiCS10 采用 332 层单元堆栈架构，相比现款 218 层的 BiCS8 增加约 52%，密度提升高达 59%，且配合 Toggle DDR 6.0 接口标准，其 I/O 传输速率从上一代的 3.6G bps 提升至 4.8G bps(增幅约 33%)，同时输入功耗降低 10%、输出功耗降低 34%，在标准 TLC 模式下可实现单颗 2Tb 的储存容量。