消息称三星已实现 900 层级别的 V-NAND 原型
据报道，三星电子近期成功利用“单元多重键合（CMB）”技术，将两张 450 层的单元晶圆（Cell Wafer）完美接合，实现了 900 层级别的 V-NAND 集成系统。三星在公布这项研究成果时称，已经验证了正常的单元操作特性。得益于新引入的位线（BL）和字线（WL）结构设计，三星在实现超高层数堆叠的同时，还成功降低了芯片的功耗与整体尺寸。