三星电子率先交付 HBM4E 样品 在 AI 存储芯片竞争中抢占先机
三星电子称已开始向客户交付业内最先进的 12 层 HBM4E 样品，在人工智能(AI)存储芯片竞争中抢占先机。这家韩国最大企业表示，这款 12 层 HBM4E 为 48GB 容量型，较上一代产品提升超过 30%。三星今年 2 月启动 HBM4 量产，这一里程碑凸显出高带宽内存市场的开发进度之快。HBM 芯片通过将多层 DRAM 垂直堆叠，在显著提升数据传输速度的同时降低功耗，已成为 AI 处理器的关键组件。随着 AI 基础设施投资快速增加，市场对速度更快、能效更高的存储芯片需求持续激增，各大内存厂商正在竞相争取未来 AI 系统的订单。三星率先推进 12 层 HBM4，可能有助于增强其对 SK 海力士等竞争对手的优势。SK 海力士 4 月表示，目标是在 2027 年实现 HBM4E 量产，并于今年下半年向客户提供 HBM4E 样品。