SK 海力士 375 层 3D NAND 年内量产，引入钼材料攻克超高层堆叠难题
6 月 11 日消息，SK 海力士已完成 375 层 3D NAND 闪存的量产验证，正准备将技术转移至清州 M15 工厂现有生产线，预计年内启动量产。工艺方面，SK 海力士在 375 层产品中以钼（Mo）部分替代此前使用的钨（W）作为字线金属栅极材料。钼在细微字线结构中电阻低于钨，可提升信号传输速度及读写擦除性能；且无需在沉积前额外铺设阻挡衬层，有助于实现更高密度结构。