东芯股份:公司 1xnm 闪存产品已实现量产并实现产品销售
东芯股份发布投资者关系活动记录表公告,存储芯片方面,公司 1xnm 闪存产品已实现量产并实现产品销售,设计与工艺持续优化;稳步推进 2xnm 制程 SLCNANDFlash 系列研发,持续扩充产品料号;基于 48nm 及 55nm 制程推进中高容量 NORFlash 产品研发;DRAM 方面已实现 DDR3(L)、LPDDR1/2/4X 及 PSRAM 量产;持续研发更多 MCP 容量组合方案;车规级产品方面,多款型号已通过 AEC-Q100 验证,公司已通过 IATF16949:2016 质量管理体系第三方符合性认证,并成功完成多家整车厂的白名单导入。
东芯股份发布投资者关系活动记录表公告,存储芯片方面,公司 1xnm 闪存产品已实现量产并实现产品销售,设计与工艺持续优化;稳步推进 2xnm 制程 SLCNANDFlash 系列研发,持续扩充产品料号;基于 48nm 及 55nm 制程推进中高容量 NORFlash 产品研发;DRAM 方面已实现 DDR3(L)、LPDDR1/2/4X 及 PSRAM 量产;持续研发更多 MCP 容量组合方案;车规级产品方面,多款型号已通过 AEC-Q100 验证,公司已通过 IATF16949:2016 质量管理体系第三方符合性认证,并成功完成多家整车厂的白名单导入。