三星电子展出业界最小 3D 堆叠晶体管
金十数据 6 月 17 日讯，近日，三星电子实现了业界最小的 3D 堆叠晶体管。在最近于美国举行的 VLSI 2026 上，该公司展示了其在实现栅极间距为 42nm 的 3D 堆叠场效应晶体管(3D 堆叠 FET)方面取得的成果，该技术将晶体管垂直堆叠而非放置在平面上，预计将应用于系统半导体领域。