机构：领先存储芯片制造商的资本支出在 2026 年和 2027 年可能进一步增加
晨星分析师李旭阳在一份报告中表示，领先存储芯片制造商的资本支出在今年和明年可能进一步增加。资本支出的扩大是由与客户新谈判的长期供应协议推动的，晨星认为这些协议具有支持利润率稳定的有利条款以及客户的重大财务承诺。该分析师指出，因此，存储芯片产能的增长可能会非常迅猛，尤其是 DRAM 和 HBM。他指出，消费级 DRAM 的高价格也可能使中国存储芯片资本支出重新加速。