美光科技：预计下一代 DRAM 与 NAND 明年下半年开始进入量产阶段
据报道，美光科技 6 月 24 日表示，下一代 DRAM 与 NAND 节点的研发进展良好，预计将在 2027 年下半年开始进入量产阶段。HBM4 12 层产品的量产爬坡速度目前是 HBM3E 12 层版本的两倍。公司已经累计交付超过 10 亿美元的 HBM4 收入。