中金：SiC/GaN 等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级
中金指出，在 AI 算力走向高密度、连续满载、强瞬态冲击之后，高压架构是数据中心供电系统发展的确定方向。在硬件技术进步推动下，2026 年数据中心高压架构迎来落地元年。中金认为，SiC/GaN 等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级，SiC 有望统领机房侧（灰区）应用，而 GaN 有望在机柜内（白区）大规模渗透，从灰、白区分界线形成“SiC 左，GaN 向右”的市场格局，共同受益于数据中心电源方案迭代。