东芝推出采用最新一代工艺的 80V N 沟道功率 MOSFET
6 月 30 日，东芝电子元件及存储装置株式会社宣布，推出采用东芝最新一代工艺 U-MOS11-H 制造的 80V N 沟道功率 MOSFET——TPM1R408RH。该 MOSFET 面向 AI 数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。