三菱化学与日本制钢所计划扩产氮化镓 产能扩充幅度 50%
三菱化学和日本制钢所（JSW）计划，到 2027 年扩充用于下一代功率半导体衬底的氮化镓（GaN）产能，较 2026 年提高 50%。据悉，三菱化学正与 JSW 合作研发功率半导体用 GaN 衬底，目前三菱化学/JSW 4 英寸衬底仍处于客户验证阶段。随着需求增加，双方决定进一步扩增产能，且目标在 2026 年度开始提供 6 英寸、2028 年度提供 8 英寸衬底样品。