英特尔专利曝光新型 XBM 内存架构，拟绕开 HBM 硅中介层降低 AI 内存成本
7 月 8 日消息，英特尔一项近日公开的专利申请显示，公司正研发名为 XBM（Cross-Batch Memory）的新型高带宽内存架构，旨在通过取消 HBM 所需的硅中介层、采用 UCIe 互连及内置冗余修复机制，降低先进封装成本并缓解 AI 芯片“内存墙”瓶颈。专利显示，XBM 采用后端晶体管（BEOL）DRAM 堆叠设计，可在保持与 HBM4 相近封装尺寸的同时提升可扩展性，并支持缺陷修复以提高良率。