室温单电子存储突破，复旦芯片技术登顶 Science
金十数据 7 月 17 日讯，北京时间 7 月 17 日凌晨，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森研究团队在《科学》（Science）发表重磅成果，他们发明的“量子闪存”（QuantumFlash）技术，成功构建出共面的漏极-沟道-源极“归壹”结构，首次在室温（27℃）环境下清晰观测到了单电子的非易失性存储行为，这不仅彻底打破了“单电子存储”无法实现的传统认知，开创了单电子量子存储的全新理论体系，更为 AI 时代算力革命奠定关键理论基础。目前，团队已系统性地打通了从底层材料、器件创新到高端芯片集成与应用的全链条，接下来，他们即将加快产业化进程，计划在 1 到 3 年内实现产品落地——成立公司对接人工智能头部客户，引入战略合作伙伴，借助社会力量和政府支持，把原始创新转化为新质生产力。