面向 2.5D/3D 先进封装 长电科技高深宽比 TSV 研发取得突破
8 月 19 日，长电科技宣布，公司在高深宽比先进 TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）技术研发方面取得重要进展，并与合作伙伴共同完成样品试制。长电科技的 TSV 制备方案面向 2.5D/3D 先进封装、硅基互连和多维异质异构集成等高端先进封装应用，旨在进一步增强公司在微系统集成平台中的关键底层工艺能力，为高算力、高存力芯片的系统级集成提供更加完整、灵活的一站式制造支撑。