SK 海力士举行美国印第安纳州 HBM 生产基地奠基仪式
8 月 28 日，SK 海力士宣布，于当地时间 27 日在美国印第安纳州西拉斐特的普渡大学举行了面向 AI 的存储器先进封装生产基地奠基仪式。总投资额将超过 40 亿美元的印第安纳晶圆厂，预计于 2028 年 10 月完成无尘室建设，并于 2029 年下半年启动新一代 HBM 量产。SK 海力士在奠基仪式上与普渡大学签署了先进封装领域研发合作的谅解备忘录。双方将基于 MOU 加强研发合作，共同研究包括 HBM 在内的下一代系统集成及先进封装技术。