SK 海力士考虑英特尔代工 HBM4E 基底芯片
8 月 31 日，据报道，SK 海力士正研究与英特尔合作生产下一代高带宽内存（HBM）关键组件基底芯片，最早可能从第七代 HBM 产品 HBM4E 开始引入英特尔，与台积电形成多供应商体系。SK 海力士此前在 HBM3E 之前均自行生产基底芯片，但随着基底芯片的逻辑功能和性能要求提高，自 HBM4 起转由台积电代工，目前量产中的 HBM4 基底芯片采用台积电 12 纳米级工艺。业内人士称，台积电供应的 HBM4 基底芯片成本约为 SK 海力士自身 10 纳米级第五代 1b 工艺生产的核心芯片的 3 至 4 倍。随着 HBM4E 升级，成本压力预计进一步增加。若英特尔加入供应链，SK 海力士有望降低成本并提升供应稳定性，同时减少对单一代工厂的依赖。