三星电子正配合英伟达要求开发 8 层第七代高带宽存储器（HBM4E），较原计划的 12 层、16 层方案显著降低堆叠高度，英伟达提出的速度规格为 17-18Gbps，较三星初期 HBM4E 14.4Gbps 的样品速度高出约 20%，该产品据悉将用于 NVHBM。 (首尔经济日报)