财经慢报
2 小时前
铠侠近日举行了半导体存储器及其他技术的技术说明会。铠侠计划通过专为人工智能工作负载设计的 CXL 模组提高 NAND 闪存的处理速度,取代部分 DRAM。据悉,CXL 模组能将数据读取所需时间缩短至传统产品的 1/10 以下,凭借高速读取数据,其性能可更加接近 DRAM。铠侠指出,若将部分 DRAM 换成 CXL 模组,容量能提高至 2 倍、性能提升 3 成。(日经新闻)
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