三星与 SK 海力士库存降至不足 10 天用量
三星电子与 SK 海力士的存储半导体库存已降至不足 10 天供应量，市场担忧明年可用库存或将耗尽。分析师表示，随着人工智能（AI）基础设施投资以前所未有的速度扩张，存储芯片市场即将面临严重的供应短缺。加剧供应短缺的核心因素是向新一代高带宽内存 HBM4 的产能切换。生产 HBM4 所需的晶圆产能约为通用 DRAM 的三倍。在晶圆产能有限的情况下，HBM4 大规模扩产，势必会挤压传统 DRAM 的可用产能。KB 证券据此预估，明年 DRAM 与 NAND 闪存的比特需求量将比供给高出 10 个百分点以上。截至第三季度，三星电子、SK 海力士的存储芯片库存已经不足 10 天供应量。KB 证券研究主管金东元表示：“这已经不只是简单的需求复苏，市场可能出现可销售货源彻底耗尽的局面。” 他补充称：“AI 服务器不仅会消耗 HBM，还会大量消耗服务器版 DDR5 以及企业级 SSD，有可能引发历史性的供应短缺。”
三星电子与 SK 海力士的存储半导体库存已降至不足 10 天供应量，市场担忧明年可用库存或将耗尽。分析师表示，随着人工智能（AI）基础设施投资以前所未有的速度扩张，存储芯片市场即将面临严重的供应短缺。加剧供应短缺的核心因素是向新一代高带宽内存 HBM4 的产能切换。生产 HBM4 所需的晶圆产能约为通用 DRAM 的三倍。在晶圆产能有限的情况下，HBM4 大规模扩产，势必会挤压传统 DRAM 的可用产能。KB 证券据此预估，明年 DRAM 与 NAND 闪存的比特需求量将比供给高出 10 个百分点以上。截至第三季度，三星电子、SK 海力士的存储芯片库存已经不足 10 天供应量。KB 证券研究主管金东元表示：“这已经不只是简单的需求复苏，市场可能出现可销售货源彻底耗尽的局面。” 他补充称：“AI 服务器不仅会消耗 HBM，还会大量消耗服务器版 DDR5 以及企业级 SSD，有可能引发历史性的供应短缺。”
