三星电子将采用台积电的 3 纳米制程，为英伟达下一代定制 HBM 芯片生产基底裸片。此举将标志着三星首次在 HBM 制造阶段与台积电合作。
据业界消息人士透露，英伟达已要求三星、SK 海力士和美光科技采用台积电的工艺制造 NVHBM 基底裸片，并采用第六代 DRAM 技术制造其核心芯片。