英伟达要生产定制化 NVHBM?业内人士称定制基底裸片已成趋势
有消息称，英伟达已要求三星电子、SK 海力士和美光科技采用台积电 3nm 制程的基底裸片（Base Die）为其生产 NVHBM（英伟达的定制 HBM 技术，HBM 即高带宽内存），核心裸片（Core Die）则采用第六代 DRAM（动态随机存取存储器）技术，三星电子已经决定接受英伟达的技术要求。对于此事的真实性，10 月 19 日，三星电子向记者回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。若采用台积电基底裸片，意味着内存厂商为英伟达供应 NVHBM 产品时不能完全一体化地设计和生产。但这还不能简单理解为内存厂商将核心环节交给台积电，更大的趋势是，定制化 HBM 业态产生了新的供应关系。有存储行业人士向记者表示，英伟达的要求是在 HBM 定制的背景下提出的。基底裸片不属于 HBM 内存的部分，核心的内存部分仍由内存厂商生产，除了这类定制化 HBM，内存厂商还有标准 HBM 产品。（第一财经）