有消息称，英伟达已要求三星电子、SK 海力士和美光科技采用台积电 3nm 制程的基底裸片（Base Die）为其生产 NVHBM（英伟达的定制 HBM 技术，HBM 即高带宽内存），核心裸片（Core Die）则采用第六代 DRAM（动态随机存取存储器）技术，三星电子已经决定接受英伟达的技术要求。
对于此事的真实性，10 月 19 日，三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。