台积电 A14 工艺传实现全球最小 SRAM 单元尺寸 有望终结 8 年微缩技术停滞
台积电 SRAM 微缩技术传在停滞约 8 年后有望迎来突破。自 2020 年 N5（5 纳米）工艺量产以来，其高密度 6TSRAM 存储单元的面积一直停留在约 0.021 平方微米，之后的 N3、N2 节点虽然在逻辑晶体管上持续迭代，存储单元尺寸却几乎原地踏步。这一局面有望随着 A14 节点的到来被打破：台积电计划在 2028 年量产的 A14 工艺上，将高密度 6TSRAM 位单元面积缩小至 0.017 平方微米以下，降幅超过 19%。