英飞凌将向奥地利工厂投资 11 亿欧元，目标量产 300 毫米晶圆氮化镓功率半导体
英飞凌 10 月 27 日宣布，将在欧洲建立全球首个基于 300 毫米晶圆的新一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产基地。作为该项目的一部分，英飞凌计划到 2034 年向奥地利菲拉赫工厂的现有洁净室设施投入约 11 亿欧元，旨在利用现有及升级后的基础设施实现产能扩张。该基地计划 2027 年底投产。