SK 海力士预计第四季度 HBM4 出货量和营收将超过 HBM3E
10 月 28 日，SK 海力士表示，公司将快速提高第六代 10 纳米级（1c）工艺的比重，并增加 DDR5 和面向 AI 服务器的 LPDDR5 SOCAMM 的销售，进一步强化 DRAM 以高附加值产品为中心的产品组合。为应对激增的 HBM 需求，公司计划年底前将 M15X 工厂的产能提升至最大水平，以扩大 HBM4 生产。据此，公司预计第四季度 HBM4 将在出货量和营业收入方面均超越 HBM3E，确立其主力产品地位。在 NAND 闪存方面，公司计划第四季度将 321 层工艺的比重提升至韩国本土产能的 50%以上，以此增加高性能、大容量 eSSD 的供应。中长期来看，公司计划以高带宽闪存和系统优化技术为基础，将 NAND 闪存打造为提升 AI 服务吞吐量与经济性的核心解决方案。
10 月 28 日，SK 海力士表示，公司将快速提高第六代 10 纳米级（1c）工艺的比重，并增加 DDR5 和面向 AI 服务器的 LPDDR5 SOCAMM 的销售，进一步强化 DRAM 以高附加值产品为中心的产品组合。为应对激增的 HBM 需求，公司计划年底前将 M15X 工厂的产能提升至最大水平，以扩大 HBM4 生产。据此，公司预计第四季度 HBM4 将在出货量和营业收入方面均超越 HBM3E，确立其主力产品地位。在 NAND 闪存方面，公司计划第四季度将 321 层工艺的比重提升至韩国本土产能的 50%以上，以此增加高性能、大容量 eSSD 的供应。中长期来看，公司计划以高带宽闪存和系统优化技术为基础，将 NAND 闪存打造为提升 AI 服务吞吐量与经济性的核心解决方案。
